Informacje o produkcie:

Konfiguracja napędu: półmostkowy
Typ kanału: synchroniczny
Liczba dysków: 2
Typ bramki: N-kanałowy MOSFET
Napięcie zasilania: 10,8 V ~ 13,2 V
Napięcie logiczne-VIL, VIH:-
Wyjście prądowo-szczytowe (tonięcie, pozyskiwanie): 1,25A, 2A
Typ wejścia: nieodwracający
Maksymalne napięcie po stronie wysokiego napięcia (bootstrap): 36 V
Czas narastania/opadania (typowa wartość): 26 ns, 18 ns
Temperatura pracy: 0°C ~ 125°C (TJ)
Typ instalacji: montaż powierzchniowy
Opakowanie/skorupa: 8-SOIC (0,154", szerokość 3,90 mm)
Pakiet urządzeń dostawcy: 8-SOIC

Lista pakowania:

Napęd x 1